მთავარი  |    ფორუმი  |    FAQ  |    წესები  |    რეკლამა ჩვენთან  |    კონტაქტი  |    რუქა






ადგილმდებარეობა  მთავარი » სიახლეები » Hard News
IDF 2009 SF: Intel-ი 22 ნმ ჩიპების დემონსტირებას ახდენს
IDF 2009 SF: Intel-ი 22 ნმ ჩიპების დემონსტირებას ახდენს

Intel Developer Forum-ზე საკმაო ინფორმაცია გაჟღერდა Clarkdale (ჩიპი დესკტოპ სისტემებისთვის) და Arrandale (ჩიპი მობილური სისტემებისთვის) პროცესორების შესახებ. დამზადებისას ტექნიკური წუნი მცირეა, შესაბამისად, ორივე ბირთვზე აგებული პროცესორების მალე გაყიდვაში გაეშვება. Clarkdale-იც და Arrandale-ც Westmere ოჯახში ერთიანებდებიან. Westmere კი Intel-ის 32 ნმ ტექნოპროცესით დამზადებული პროცესორების დიდი ოჯახია.



მარკ ბორი 22 ნმ ტექნოპროცესის შესახებ საუბრობს

ფორუმზე Intel-მა წარმოადგინა მუშა ჩიპები Sandy Bridge არქიტექტურიდან, რომლებიც ბაზარზე 2010 წელს გამოვა და Westmere-ს ჩაანაცვლებს. Westmere-ი დღევანდელი Nehalem-ის 32 ნმ "შეკუმშული" ვარიანტია, Sandy Bridge კი 32 ნმ ტექნოპროცესზე დამზადებული სრულიად ახალი არქიტექტურის პროცესორების ოჯახი იქნება. 2011 წელს მას Ivy Bridge-ი ჩაანაცვლებს, 22 ნმ ტექნოპროცესით დამზადებული "შეკუმშული" ვარიანტი, ხოლო 2012 წელს კი ვიხილავთ კიდევ ერთ ახალ არქიტექტურას - Haswell-ს. ასეთია Intel-ის Tick-Tock სტრატეგია. ყოველი Tick-ი ახალ ტექნოპროცესზე გადასვლას აღნიშნავს, Tock-ი კი ახალი არქიტექტურის აღნიშვნისთვის გამოიყენება.

დანარჩენისთვის დააჭირეთ სრულად-ს



2 წლის წინ, 2007 წლის IDF San Francisco-ზე Intel-მა წარადგინა მუშა 32 ნმ SRAM ტესტ ჩიპი. წელსაც მსგავსი პრეზენტაცია შედგა, მხოლოდ 22 ნმ ტექნოპროცესისთვის. 22 ნმ ტექნოპროცესის საშუალებით Intel-ს შეეძლება 2-ჯერ მეტი პროცესორის კრისტალი დატიოს ერთ "ვაფლზე" (Wafer) წარმოებისას. შესაბამისად, მას შემდეგ, რაც 22 ნმ წარმოების ტექნოპროცესი დაიხვეწება და ტექნიკური წუნი შემცირდება, პროცესორების წარმოება ინტელს უფრო იაფი დაუჯდება, ვიდრე ახლა.

ნანოტექნოლოგიებში, როგორც ყოველთვის, Intel-ი ახლაც ლიდერია - იგი პირველია ინდუსტრიაში, ვინც 22 ნმ ტექნოპროცესით დამზადებული მუშა ჩიპების პრეზენტაცია მოახდინა. Intel-ის 22 ნმ ტესტ ჩიპები შეცავენ არა მხოლოდ SRAM წრედებს, არამედ ლოგიკასა და შერეული სიგნალის ტრანზისტორებსაც, როგორიცაა PLL წრედები. სატესტო 364 მეგაბიტიანი ჩიპი აგებულია 2.9 მილიარდი ტრანზისტორისგან ინტელის მესამე თაობის  High-K/Metal Gate ტექნოლოგიით. ამჟამად Intel-ს ორი ტიპის 22 ნმ ტრანზისტორი აქვს დამზადებული: პირველი გამოიყენება მაღალი წარმადობის მქონე პროცესორების დასამზადებლად და მისი ფართობია 0.092 კვადრატული მიკრონი, ხოლო მეორე, რომლის ფართობია 0.108 კვადრატული მიკრონი, გამოიყენება დაბალძაბვიან სისტემებში, როგორიცაა Atom SoC (System-on-a-Chip).



ბეჭდვითი ვერსიაბეჭდვითი ვერსია | 26-09-2009, 18:48:00 | Power_VANO
   
თემატური სიახლეები

თემატური სტატიები

სტატიის შეფასება
ეს გვერდი უკვე შეაფასეს!

შეფასება: 0
შეფასება:


კომენტარის დატოვება
თქვენ არ შეგიძლიათ კომენტარების დატოვება.